晶體管類型： NPN

集射極擊穿電壓(Vceo)： 12V

集電極電流(Ic)： 100mA

功率(Pd)： 150mW

集電極截止電流(Icbo)： 1μA

集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib) -

直流電流增益(hFE@Ic,Vce)： 120@7mA,3V

特征頻率(fT)： 4.5GHz

工作溫度： -65℃~+150℃@(Tj)