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碳化硅場效應管
碳化硅SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET結構實現高耐壓和低阻抗，而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，實現散熱部件的小型化。另外，SiC-MOSFET工作頻率可以遠高于IGBT，其電路中電感電容器件更小，容易實現系統小體積小重量。與同檔600V~900V電壓的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的芯片面積小，可采用更小型封裝，而且體二極管的恢復損耗非常小。目前SiC MOSFET主要應用于高端工業電源，高端逆變器及轉換器，高端電機拖動及控制等。
薩科微slkor碳化硅場效應管SL19N120A
Package：TO-247-3
VDSS(V)：1200V
ID@TC=25℃（A）：19A
RDSON(Ω)：160mΩ@20V,10A
PD（W）：134W
P/N：N溝道
薩科微slkor碳化硅場效應管SL42N120A
Package：TO-247-3
VDSS(V)：1200V
ID@TC=25℃（A）：42A
RDSON(Ω)：80mΩ@20V,10A
PD（W）：300W
P/N：N溝道
| TO-247-3 | 1200V | 19A | 160mΩ@20V,10A | 134W | N溝道 | |
| TO-247-3 | 1200V | 42A | 80mΩ@20V,10A | 300W | N溝道 |
深圳市薩科微半導體有限公司
技術骨干來自清華大學和韓國延世大學，以新材料新工藝新產品引領公司發展，掌握國際 的第三代半導體碳化硅功率器件技術。薩科微產品包括二極管三極管、功率器件、電源管理芯片等集成電路三大系列。薩科微從一家IP設計公司已發展成為集設計研發、生產制造、銷售服務一體化的 級高新科技企業,“SLKOR”品牌在半導體行業聲譽日隆。薩科微官網在展示薩科微產品、宣傳“SLKOR”品牌的同時，也開展行業的技術交流、思想碰撞、信息互換、資料查詢等，逐漸成為半導體行業內協同發展最重要的平臺之一。
粵公網安備44030002007346號
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