如何正確選擇 MOS管？需要注意哪些細(xì)節(jié)？

?? MOS管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于壓控半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高10^7~10^12Ω）、低噪聲、低功耗、動態(tài)范圍大、易集成、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極晶體管和功率晶體管的有力競爭者。
??1)用N溝道或P溝道？

??選擇一個好的MOS晶體管器件的[敏感詞]步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的電源應(yīng)用中，當(dāng)MOS管接地并且負(fù)載連接到電源電壓時，MOS管就構(gòu)成低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，考慮到關(guān)斷或接通器件所需的電壓，應(yīng)采用N溝道MOS管。當(dāng)MOS管連接到總線并且負(fù)載接地時，就使用高壓側(cè)開關(guān)。通常會在這個拓?fù)渲胁捎肞溝道MOS管，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮。

??2)確定MOS管的額定電流

??額定電流應(yīng)該是負(fù)載在任何情況下都能承受的[敏感詞]電流。與電壓情況類似，即使系統(tǒng)產(chǎn)生峰值電流，也要確保所選的MOS晶體管能夠承受此額定電流。考慮的兩種電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOS晶體管處于穩(wěn)定狀態(tài)，電流持續(xù)流過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的[敏感詞]電流，只需直接選擇能夠承受該[敏感詞]電流的器件。

??3)選擇MOS管的下一步是系統(tǒng)的散熱要求。

??必須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實(shí)情況。建議采用最壞情況的計算結(jié)果，因為這個結(jié)果提供了更大的安全裕度，可以保證系統(tǒng)不會出現(xiàn)故障。

??4)選擇MOS管的最后一步是確定MOS管的開關(guān)性能。

??影響開關(guān)性能的參數(shù)很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極和漏極/源極電容。這些電容會導(dǎo)致器件的開關(guān)損耗，因為每次開關(guān)時都要充電。因此，MOS管的開關(guān)速度降低，并且器件效率也降低。為了計算開關(guān)過程中器件的總損耗，應(yīng)計算開關(guān)過程中的損耗(Eon)和開關(guān)過程中的損耗(Eoff)。

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