IGBT單管和MOS管有哪些區(qū)別呢？

發(fā)布時間：2022-03-17作者來源：薩科微瀏覽：2303

IGBT單管和MOS管有哪些區(qū)別呢？

IGBT

怎么區(qū)別IGBT單管和MOS管呢？我們可以從以下三點進行分析。

1.結構上，以n型溝道為例，IGBT與MOS管的區(qū)別在于MOS管的襯底為n型，IGBT的襯底為p型。

2.原則上， IGBT相當于 MOS管和雙極器件的組合。背面P型層的空穴注入降低了器件的導通電阻，但同時也會引入拖尾電流等問題。

3.從產品來看， IGBT一般用于高壓電源產品，從600伏到幾千伏不等； MOS管的應用電壓相對較低，從10伏到1000伏左右。

公司電話：+86-0755-83044319
傳真/FAX：+86-0755-83975897
郵箱：1615456225@qq.com
QQ：3518641314 李經理

QQ：332496225 丘經理

地址：深圳市龍華新區(qū)民治大道1079號展滔科技大廈C座809室

新聞推薦

服務熱線

0755-83044319

霍爾元件咨詢

肖特基二極管咨詢

TVS/ESD咨詢

獲取產品資料