概述
閘級(jí)功率放大器（Gate Driver），也稱柵（閘）級(jí)驅(qū)動(dòng)器，可以讓控制集成電路產(chǎn)生的小功率訊號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)功率晶體（例如IGBT或是功率級(jí)MOSFET）的閘極。柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器可能是附在功率晶體上甚至集成進(jìn)MCU內(nèi)部，也有可能是獨(dú)立的元件。柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器會(huì)包括位準(zhǔn)轉(zhuǎn)換器以及放大器電路。

目的

MOSFET和雙極性晶體管不同，MOSFET在沒(méi)有切換（切換導(dǎo)通或是切換關(guān)斷）時(shí)，不需要固定的功率輸入。MOSFET的隔離柵極會(huì)形成電容器（柵極電容），在每一次切換導(dǎo)通或關(guān)閉時(shí)，會(huì)需要充電或放電。晶體管的基極至少需要特定的電壓才能導(dǎo)通，同樣的，閘極電容需要一定的電壓才能充電，讓晶體導(dǎo)通。同樣的，若要關(guān)斷晶體，也需要釋放電容器上的電荷，因此閘極電容也需要放電。

在功率晶體導(dǎo)通或是關(guān)斷，不會(huì)立刻就切換到完全導(dǎo)通或是完全不導(dǎo)通的狀態(tài)，切換過(guò)程中可能會(huì)有短暫時(shí)間通過(guò)大電流，且功率晶體上有較大的電壓。因此在切換時(shí)會(huì)使晶體發(fā)熱，若控制不當(dāng)，甚至?xí)茐墓β示w。因此有需要使切換時(shí)間越短越好，以降低其切換損失。一般的切換時(shí)間約在微秒等級(jí)。晶體的切換時(shí)間和驅(qū)動(dòng)閘極需要的電流成反比。因此切換電流一般會(huì)要求在數(shù)百毫安的等級(jí)，甚至?xí)綌?shù)安培的大小，因?yàn)橐话愕拈l極電壓會(huì)在10-15V之間，切換時(shí)會(huì)需要消耗數(shù)瓦特的功率。假如需要高速的切換大電流，例如直流-直流轉(zhuǎn)換器或是大型的電動(dòng)機(jī)，會(huì)將數(shù)個(gè)功毫安并聯(lián)，以提供夠大的切換電流及功換功率。

功率晶體的切換信號(hào)一般是由邏輯電路或是單片機(jī)提供，其輸出信號(hào)的電流一般會(huì)限制在數(shù)毫安。若功率晶體直接以此信號(hào)驅(qū)動(dòng)，其切換速度會(huì)非常的慢，而且產(chǎn)生的切換損失很大。在切換時(shí)，柵極電容會(huì)快速的抽電流，可能會(huì)從邏輯電路或是單片機(jī)抽取過(guò)多的電流，造成元件的[敏感詞]損壞。為了避免此一情形，會(huì)在邏輯電路及單片機(jī)輸出電路和功率晶體之間加上柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器。

常見(jiàn)的BLDC直流無(wú)刷電機(jī)仿真分析（Gate Driver）應(yīng)用框圖

柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器在H橋中的應(yīng)用

H橋的高電壓端驅(qū)動(dòng)器會(huì)使用電荷泵作為柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器，以切換高電壓端n-channel的功率MOSFET及絕緣柵雙極晶體管。使用這類元件的原因是其性能良好，但是需要比電源軌電壓小一些的閘級(jí)電壓。若半橋的中心點(diǎn)電壓降低時(shí)，電容可以透過(guò)二極管充電，電荷會(huì)在稍晚時(shí)間驅(qū)動(dòng)高電壓端的FET柵極，使其電壓略高于電源軌電壓，使此導(dǎo)通。此法可以讓橋式電路定期切換，也避免了隔離的電源供應(yīng)器，可以在高電壓端及低電壓端都使用效率較好的n-channel元件。

NXP集成GateDriver的工業(yè)電機(jī)及汽車應(yīng)用的MCU

S12ZVM混合信號(hào)MCU，適用于汽車和工業(yè)電機(jī)控制應(yīng)用

16位S12MagniV?S12ZVM混合信號(hào)微控制器系列提供了最小、高效、可擴(kuò)展的三相電機(jī)控制解決方案，適用于工業(yè)和汽車的無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)、永磁同步電機(jī)(PMSM)或開關(guān)磁阻電機(jī)(SRM)控制應(yīng)用。

S12ZVM MCU集成了12 V至5 V的穩(wěn)壓器、LIN物理層或CAN物理層以及柵極驅(qū)動(dòng)器單元(GDU)，以控制六個(gè)功率MOSFET。

特征

• 增強(qiáng)型S12Z內(nèi)核，50 MHz總線頻率

• 16kB - 256kB閃存(ECC)

• 128B - 1kB EEPROM (ECC)

• 2kB - 32kB RAM (ECC)

• 6通道PMF 15位PWM，用于電機(jī)控制與死區(qū)時(shí)間、故障管理

• 雙12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)

• 同步ADC轉(zhuǎn)換的可編程觸發(fā)單元(PTU)

• 3.5至20V工作電壓范圍

• CAN物理層(僅限S12ZVMC256)

• LIN物理層(僅限S12ZVML128、S12ZVML64、S12ZVML32和S12ZVML31)

• 6個(gè)功率MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路 (GDU)

• 面向電流測(cè)量/感應(yīng)的2個(gè)運(yùn)算放大器

應(yīng)用

工業(yè)控制

1. 三相交流感應(yīng)電機(jī)

2. 無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)控制

3. 永磁同步電機(jī)(PMSM)

4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

5. 運(yùn)動(dòng)控制和機(jī)器人

汽車電子

1. 暖通空調(diào)(HVAC)

常見(jiàn)的集成了GDU閘級(jí)驅(qū)動(dòng)單元的MCU電機(jī)應(yīng)用電路框圖

常見(jiàn)的MCU+Gate Driver+MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)框圖

某國(guó)產(chǎn)品牌MCU廠家內(nèi)部集成了GDU框圖

 
GDU單元的承受及輸出電壓參數(shù)值

隔離型半橋驅(qū)動(dòng)內(nèi)部結(jié)構(gòu)

低電壓控制器實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，采用電隔離高壓高能量MOSFET瞬態(tài)成為安全與高性能的必選項(xiàng)。

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Gate Driver

The gate driver is used to control the external N-Channel MOSFET by setting the GATE to ANODE voltage to the corresponding mode of operation. There are four defined modes of operation that the gate driver operates under forward regulation, full conduction mode, reverse current protection and VDS clamp mode according to the ANODE to CATHODE voltage. These modes of operation are described in more detail in the Regulated Conduction Mode, Full Conduction Mode, Reverse Current Protection Mode and VDS Clamp Mode sections. Figure 8-2 depicts how the modes of operation vary according to the ANODE to CATHODE voltage of the LM74701-Q1. The threshold between forward regulation mode and conduction mode is when the ANODE to CATHODE voltage is 50 mV. The threshold between forward regulation mode and reverse current protection mode is when the ANODE to CATHODE voltage is –11 mV. The threshold between reverse current protection mode and VDS clamp mode is when the ANODE to CATHODE voltage is –39-V typical.

Gate Driver Mode Transitions

Before the gate driver is enabled following three conditions must be achieved:

• The EN pin voltage must be greater than the specified input high voltage.

• The VCAP to ANODE voltage must be greater than the undervoltage lockout voltage.

• The ANODE voltage must be greater than VANODE POR Rising threshold.

If the above conditions are not achieved, then the GATE pin is internally connected to the ANODE pin, assuring that the external MOSFET is disabled. After these conditions are achieved, the gate driver operates in the correct mode depending on the ANODE to CATHODE voltage.

英飛凌EiceDRIVER?系列的Gate Driver家族

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