半導體激光二極管的基本結構：垂直于PN結面的一對平行平面構成法布里——珀羅諧振腔，它們可以是半導體晶體的解理面，也可以是經過拋光的平面。其余兩側面則相對粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。

激光二極管(Laser Diode) 的LASER是取"Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation（基于受激發射的光放大）"的首字母組成的縮寫單詞，激光二極管也被稱為半導體激光器，通常簡稱為LD。

激光二極管包括單異質結（SH）、雙異質結（DH）和量子阱（QW）激光二極管。量子阱激光二極管具有閾值電流低，輸出功率高的優點，是市場應用的主流產品。同激光器相比，激光二極管具有效率高、體積小、壽命長的優點，但其輸出功率小（一般小于2mW），線性差、單色性不太好，使其在有線電視系統中的應用受到很大限制，不能傳輸多頻道，高性能模擬信號。在雙向光接收機的回傳模塊中，上行發射一般都采用量子阱激光二極管作為光源。

由于可產生波長及相位等性質完全一樣的光，因此相干性高(coherent)是其[敏感詞]特點。

利用注入電流產生的光在2片鏡片之間往返放大，直至激光振蕩。簡單的說，激光二極管也可以說成是一個通過反射鏡將光放大的發光LED。

作為元件材料，使用AlGaAs、InGaAlP、InGaN、ZnO等化合物半導體，由于LSI及Tr、Di等使用的Si躍遷概率（電流轉變為光的概率）較差，因此不適用于激光二極管。

激光二極管和LED的區別

將激光二極管和LED的區別匯總在了下表中。
由于激光二極管的譜寬是狹窄單一的波長、相位整齊、指向性高的光，因此具備容易控制能量的特征。